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【摘要】:用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了SiH在Si(001)面的吸附,计算了SiH在6个高对称位置吸附
Patrick Lespagnol,Hlne Beucher SIH-MUT-12-001Version 1.0 Mars 2012 SIH ObsDebManuel utilisateur du
SiH_4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究-1引言氢化微晶硅薄膜生长的各种化学气相沉积过程中,SiH4是
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Vol.29No.2周口师范学院学报 JournalofZhoukouNormalUniversity 2012年3月 Mar.2012 SiH 001)面吸附的
选用的是 Si 001)重构表面,如图 1所示 吸附后的优化构型SiH 001)表面分裂吸附后的最初产物是 SiH,在这一
SiH在Si(001)面吸附的第一性原理研究 下载积分:512 内容提示:SiH在Si(001)面吸附的第一性原理研究
SiH在Si(001)面吸附的第一性原理研究,第一性原理;吸附能;SiH;反应机制,文黎巍;裴慧霞;王宇杰;支联合;周口
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